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半導(dǎo)體行業(yè)碳化硅長(zhǎng)晶爐應(yīng)用案例

2024-09-12

物理氣相傳輸法(PVT)是制備碳化硅(SiC)晶體的主流方法之一,PVT法生長(zhǎng)SiC單晶,溫度高達(dá)2300℃,生長(zhǎng)過(guò)程需嚴(yán)格控制生長(zhǎng)溫度梯度,其溫度控制系統(tǒng)為閉環(huán)控制,由紅外測(cè)溫儀、溫控器、加熱電源以及加熱器(感應(yīng)線圈)組成。

系統(tǒng)框圖:

圖片1.png

宇電AI系列人工智能調(diào)節(jié)器

1、AI-8x9系列

2、AI-MODBUS-TCP1-24VDC

成功應(yīng)用于國(guó)內(nèi)某半導(dǎo)體裝備制造頭部企業(yè)碳化硅長(zhǎng)晶爐,該系統(tǒng)溫度的精確控制,儀表兼容多類(lèi)型輸入/輸出規(guī)格,具備可調(diào)的控制周期及報(bào)警功能,通訊兼容RS485及RS232,且可匹配外部TCP模塊實(shí)現(xiàn)MODBUS-TCP便捷通訊。

溫度控制效果:

圖片2.png

圖片3.png

圖片4.png

溫度控制效果:溫度波動(dòng)≤±0.5℃@2200℃,溫度超調(diào)、穩(wěn)定時(shí)間等指標(biāo)均與英國(guó)競(jìng)品水平相當(dāng),經(jīng)終端客戶(hù)驗(yàn)證,可完全平替國(guó)外競(jìng)品,成功實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。


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